功率半导体题材库
继晶新微、蓝影电子、高格芯微、三联盛、深微半导体等中小公司发布涨价函后，功率IDM捷捷微电发布涨价函，行业拐点初现。
| 产业链 / 细分方向 | 相关公司 | 关联原因 |
|---|---|---|
| 碳化硅 / 衬底 | 三安光电 600703 | 湖南三安已拥有6吋碳化硅配套产能16,000片/月，8吋碳化硅衬底产能1,000片/月、外延产能2,000片/月，8吋碳化硅芯片产线已通线。 |
| 碳化硅 / 外延片 | 三安光电 600703 | 8寸碳化硅衬底、外延产能1千片/月 |
| 氮化镓 | 三安光电 600703 | 公司化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局 |
| 碳化硅 / 衬底 | 露笑科技 002617 | 主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售;大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目投资进度有所放缓 |
| 碳化硅 / 衬底 | 合盛硅业 603260 | 6英寸碳化硅衬底全面量产，8英寸碳化硅衬底已开始小批量生产，12英寸碳化硅衬底研发顺利 |
| 碳化硅 / 衬底 | 天岳先进 688234 | 与Infineon签订6英寸SiC晶圆和晶锭供应协议，已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三 |
| 碳化硅 / 衬底 | 天富能源 600509 | 公司持有天科合达9.09%的股份，位列第二大股东。天科合达导电型碳化硅单晶领域长期稳居国内第一 |
| 碳化硅 / 衬底 | 晶盛机电 300316 | 公司拥有领先的碳化硅长晶技术，公司生产的碳化硅衬底片核心技术参数达到行业领先水平。 |
| 碳化硅 / 设备 | 晶盛机电 300316 | 公司聚焦第三代半导体碳化硅装备研发，在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多项核心技术 |
| 碳化硅 / 衬底 | 瑞纳智能 301129 | 8英寸碳化硅衬底的长晶技术在做了方向调整并优化研发的工艺路线后,目前可以保证晶体的稳定生长和加工 |
| 碳化硅 / 外延片 | 民德电子 300656 | 参股的晶圆原材料企业晶睿电子,目前具备SiC(碳化硅)外延片量产能力,并已开始给客户小批量供货 |
| IGBT | 民德电子 300656 | 2026年4月16日互动易：公司控股子公司浙江广芯微电子的高压IGBT和BCD产品进入客户流片与导入阶段 |
| 碳化硅 / 设备 | 北方华创 002371 | 公司在碳化硅领域可提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、CVD、清洗机等设备 |
| 碳化硅 / 设备 | 宇环数控 002903 | 公司应用于半导体行业碳化硅材料加工的磨抛设备已实现销售 |
| 碳化硅 / 设备 | 宇晶股份 002943 | 公司目前应用于8英寸碳化硅衬底切割与抛光设备已经在市场销售 |
| 碳化硅 / 设备 | 京运通 601908 | 公司半导体设备主要用于生产半导体相关材料，包括区熔单晶硅炉、碳化硅晶体生长设备、金刚石生长炉等 |
| 碳化硅 / 设备 | 迈为股份 300751 | 公司研磨设备可用于第三代半导体如碳化硅(SiC) |
| 碳化硅 / 设备 | 晶升股份 688478 | 公司向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他晶体生长设备等定制化产品。 |
| 碳化硅 / 设备 | 德龙激光 688170 | 自主研发了碳化硅激光晶圆切割设备、激光打标设备、退火设备、碳化硅晶锭激光切片设备等产品 |
| 碳化硅 / 设备 | 高测股份 688556 | 碳化硅金刚线切片机市占率领先 |
| 碳化硅 / 器件 | 士兰微 600460 | 2025 年四季度， 士兰微电子8 英寸碳化硅（SiC） 功率器件芯片制造生产线项目顺利实现通线， 预计 2026 年下半年将实现正式投产 |
| 氮化镓 | 士兰微 600460 | 公司4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线 |
| IGBT | 士兰微 600460 | 国内半导体 IDM 龙头，IGBT 业务高速增长截止2023上半年已营收5.9亿。 |
| 碳化硅 / 器件 | 扬杰科技 300373 | 公司已经成功推出 SiC 系列二极管产品 |
| IGBT | 扬杰科技 300373 | 公司引入 FS(场终止)技术、MPT 微沟槽技术，大力开发车规级产品，实现 IGBT 的进口替代 |
| 碳化硅 / 器件 | 斯达半导 603290 | 公司长期致力于 IGBT、SiC 等功率芯片的设计和工艺及 IGBT、 MOSFET、SiC 等功率模块的设计、制造和测试 |
| IGBT | 斯达半导 603290 | 全球 IGBT 模块市场第六、国内第一。 |
| 碳化硅 / 器件 | 新洁能 605111 | 公司1200V SiC MOSFET系列产品及650V SiC MOSFET工艺平台，可用于新能源汽车OBC、光伏储能等行业。 |
| IGBT | 新洁能 605111 | 公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片、功率器件和功率模块的研发设计及销售。 |
| 碳化硅 / 器件 | 捷捷微电 300623 | 公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件。 |
| 碳化硅 / 器件 | 时代电气 688187 | 在功率半导体器件领域，公司建有 6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地。 |
| IGBT | 时代电气 688187 | 国内轨交和车规级 IGBT 龙头企业。 |
| 碳化硅 / 其他 | 立昂微 605358 | 立昂东芯已完成开发国内第一款6英寸0.45微米-0.25微米的碳化硅基氮化镓（GaN HEMT）工艺技术产品开发，目前正在客户验证阶段，预计将于今年第四季度进入商业化运营阶段 |
| IGBT | 立昂微 605358 | 公司IGBT芯片已开始出货 |
| 碳化硅 / 其他 | 黄河旋风 600172 | 公司碳化硅切割线已通过客户验证，并可以进行量产 |
| 碳化硅 / 其他 | 英唐智控 300131 | 公司拟与合作伙伴合作建设一条月产能5,000片的6英寸碳化硅生产线 |
| 碳化硅 / 其他 | 方大炭素 600516 | 2026年6月22日投资者关系活动记录表：6N 级超高纯石墨粉完成天然石墨粉和人造石墨粉技术攻关，已经在半导体碳化硅领域头部企业评测试用 |
| 碳化硅 / 其他 | 有研复材 688811 | 2021年中国有研和有研工研院出资的 217项专利中有 24 项可对应碳化硅铝材料等当时已成熟产业化的产品 |
| 碳化硅 / 其他 | 重庆路桥 600106 | 2025半年报：总投资超 200 亿元的长飞先进武汉基地正式投产， 年产 36 万片碳化硅晶圆的武汉基地将全面进入量产倒计时 |
| 氮化镓 | 云南锗业 002428 | 子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，目前GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸)，2019年上半年产量，且下属子公司是云南省重点发展项目 |
| 氮化镓 | 瑞芯微 603893 | 公司主要从事集成电路的设计与研发，是中国极具创新和务实的集成电路设计公司，为手机快充等多个领域提供专业芯片解决方案 |
| 氮化镓 | 有研新材 600206 | 公司是砷化镓，都属于化合物半导体，公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一，也是国内水平砷化镓最大的供应商，旗下有研光电拥有如60万片/年的GaAs衬底产能 |
| 氮化镓 | 和而泰 002402 | 子公司铖昌科技的芯片产品涵盖的是氮化镓、砷化镓等，技术很成熟，已经大量在出货 |
| 氮化镓 | 中超控股 002471 | 参股江苏能华微电子科技发展有限公司，江苏能华微电子专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。 |
| 氮化镓 | 赛微电子 300456 | 公司氮化镓外延片已有少量销售，器件产品仍处于送样、验证阶段 |
| 氮化镓 | 兆驰股份 002429 | 兆驰半导体能够独立完成“蓝宝石平片→图案化基板PSS→LED外延片→LED芯片”整个制作流程，有氮化镓外延片，能够提供全面的芯片解决方案。 |
| 氮化镓 | 南大光电 300346 | 公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料 |
| 氮化镓 | 国星光电 002449 | 公司主营业务为蓝宝石氮化镓基及硅基衬底为基材的LED芯片 |
| 氮化镓 | 富满微 300671 | 公司充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器 |
| 氮化镓 | 乾照光电 300102 | 公司是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，研发并生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白。 |
| 氮化镓 | 海特高新 002023 | 公司海威华芯布局氮化镓功率器件代工，技术达到国际先进水平 |
| 氮化镓 | 星徽股份 300464 | 星徽精密通过子公司泽宝电商小比例持股Navitas，世界首款氮化镓驱动与功率集成芯片并供应小米。 |
| 氮化镓 | 宏微科技 688711 | 2025年12月3日互动易：公司GaN技术目前主要聚焦于数据中心、算力等电源系统以及机器人等新兴领域，关于与其他厂商的技术对比及太空等特殊应用场景，涉及具体参数和认证要求等较为复杂，公司现阶段暂未开展相关方面的应用验证。 |
| IGBT | 宏微科技 688711 | 公司主营业务为IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模组的设计、研发、生产和销售。 |
| 氮化镓 | 台基股份 300046 | 公司跟踪和研发以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术 |
| IGBT | 台基股份 300046 | 公司主营功率半导体器件的研发、制造、销售及服务，主要产品为大功率晶闸管、整流管、IGBT等功率半导体器件及组件 |
| 氮化镓 | 聚灿光电 300708 | 公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术 |
| IGBT | 华微电子 600360 | 公司已完成650V及1200V第七代IGBT、超高压MOS、新一代SGT及IPM模块产品的开发 |
| IGBT | 上海贝岭 600171 | 公司功率器件业务聚焦于MOSFET和工控IGBT芯片的研发 |
| IGBT | 高新发展 000628 | 公司收购的森未科技主要从事IGBT等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售 |
| IGBT | XD华润微 688396 | 公司主要产品包括以 MOSFET、 IGBT、第三代宽禁带半导体为代表的功率半导体产品。 |
| IGBT | 芯联集成 688469 | 目前公司12英寸晶圆产线已实现月产能3万片，主要生产高压模拟IC、MCU、IGBT等产品 |
| IGBT | 东微半导 688261 | 公司的 TGBT 产品是基于新型的 Trident Gate Bipolar Transistor器件结构的重大原始创新， 该自主专利技术为基础的 TGBT 产品系列已经进入稳定的量产交付阶段， 性能达到了国际先进的七代 IGBT 芯片性能 |
| IGBT | 赛英电子 920181 | 公司逐渐完成了平板压接式IGBT用陶瓷管壳生产工艺的积累，形成了自主研发的大功率IGBT平板压接式封装结构设计开发技术 |
| IGBT | 创达新材 920012 | 在 IGBT、第三代半导体等车规级高端功率模块封装领域，公司是极少数同时布局固态塑封料和液态环氧封装料/有机硅胶/烧结银胶的厂商，多款产品通过行业领先客户测试验证 |
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